[发明专利]一种用来制造具有柱状底电极相变化存储装置的方法

摘要

本发明公开了一种用来制造伞状相变化存储器的方法，在一衬底上制造一底电极材料柱，而该衬底包含一导电接点阵列与存取电路电性连接。沉积一电极材料层并与该导电接点阵列可靠的电性连结。刻蚀电极材料以在对应的导电接点上形成一电极材料柱图案。接着，在该图案上沉积一介电材料以及平面化，以提供一电极表面并裸露出该电极柱的顶表面。接着沉积一可编程电阻材料，例如：硫属化物或其它相变化材料，之后再沉积一顶电极材料层。本发明是描述一种底表面大于顶表面的电极柱的装置。

主权项

一种制造多个存储单元的方法，其特征在于，该方法包含：提供一包含供该多个存储单元用的存取电路的一衬底，该衬底具有一导电接点阵列的一接点表面，且该导电接点阵列连接至该存取电路；在该衬底的该接点表面上形成一底电极材料层；移除该底电极材料层的一部分，以形成一电极柱图案于导电接点阵列中相对应的导电接点上；形成一介电材料层，而其覆盖于该电极柱图案及该接点表面的裸露部位；平面化该介电材料层及该电极柱，以提供一电极表面来露出该电极柱图案中的该电极柱顶部；在该电极表面上形成一可编程电阻材料层；在该可编程电阻材料层上形成一顶电极材料层；以及图案化该可编程电阻材料层及该顶电极材料层。