[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810074302.8 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101246909A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 朴宰澈;朴永洙;金善日 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管(TFT)可以包括沟道层、源电极、漏电极、保护层、栅电极、和/或栅极绝缘层。沟道层可以包括氧化物半导体材料。源电极和漏电极可以在沟道层上方相互面对。保护层可以在源电极和漏电极下面和/或可以覆盖沟道层。栅电极可以配置为向沟道层施加电场。栅极绝缘层可以夹置在栅电极和沟道层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：沟道层，包括氧化物半导体材料；源电极和漏电极，在所述沟道层上方相互面对；保护层，在所述源电极和所述漏电极下面并覆盖所述沟道层；栅电极，配置为向所述沟道层施加电场；和栅极绝缘层，夹置在所述栅电极和所述沟道层之间。
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