[发明专利]功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局无效
| 申请号： | 200810074311.7 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101510559A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李信明;张志恒 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L27/088;H01L27/092;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率金属氧化物半导体晶体管元件、结构及布局。该功率金属氧化物半导体晶体管元件包括一漏极区域，在一基底中。栅极结构层位于该基底上，围绕该漏极区域的周边。源极区域形成于该基底中，且分布于该栅极结构层的外围周边。又，金属氧化物半导体晶体管元件可以例如构成一晶体管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 布局 | ||
【主权项】：
1. 一种功率金属氧化物半导体晶体管元件，包括：漏极区域，位于一基底中；栅极结构层，位于该基底上，围绕该漏极区域的周边；以及源极区域，位于该基底中，且分布于该栅极结构层的外围周边。
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