[发明专利]散热型芯片封装工艺及其构造有效
| 申请号： | 200810074323.X | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101226888A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 唐和明;赵兴华;李明锦;黄泰源;刘昭源;黄詠政;李德章;高仁杰;陈昭雄 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/36;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种散热型芯片封装工艺及其构造。该散热型芯片封装工艺至少包含下列步骤：首先，提供包含有至少一基板单元的基板条；接着，设置至少一芯片于该基板单元的上表面，该芯片电性连接该基板单元；之后，提供预浸材及散热金属层，该散热金属层设置于该预浸材的第一表面，该预浸材的第二表面朝向该芯片；最后，压合该预浸材及该基板单元，以使该预浸材覆盖该芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 芯片 封装 工艺 及其 构造 | ||
【主权项】：
1.一种散热型芯片封装工艺，其包含：提供基板条，该基板条包含有至少一基板单元，该基板单元具有上表面及下表面；设置至少一芯片于该基板单元的该上表面，该芯片电性连接该基板单元；提供第一预浸材及散热金属层，该第一预浸材具有第一表面及第二表面，该散热金属层设置于该第一表面，该第一预浸材的该第二表面朝向该芯片；以及压合该第一预浸材及该基板单元，以使该第一预浸材覆盖该芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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