[发明专利]基于环形微腔的微光纤电压传感器无效

专利信息
申请号: 200810079408.7 申请日: 2008-09-13
公开(公告)号: CN101386403A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 闫树斌;张文栋;熊继军;姜国庆;王少辉;严英占;王宝花;吉喆;任小红 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 山西太原科卫专利事务所 代理人: 朱 源
地址: 030051山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及一种采用微光机电系统技术设计的微型传感器,具体为一种利用高Q值的环形微腔加工成的基于环形微腔的微光纤电压传感器。解决了高Q值环形微腔在传感器领域的应用的问题。结构包括由硅柱支撑的平面环形微腔,和与平面环形微腔偶合的锥形光纤,平面环形微腔中部的微盘上设有铝质欧姆接触,在金属欧姆接触上植有两个钨极探针。本发明的优点正是采用日益成熟的MEMS加工工艺技术,以现有的物理知识为理论基础,将电压传感器朝微型化、集成化方向发展。彻底摆脱原有光纤电压传感器体积大、功耗高、受环境影响严重等限制。
搜索关键词: 基于 环形 微光 电压 传感器
【主权项】:
1、一种基于环形微腔的微光纤电压传感器,其特征在于:结构包括由硅柱(5)支撑的平面环形微腔(3),和与平面环形微腔(3)偶合的锥形光纤(4),平面环形微腔(3)中部的微盘上设有铝质欧姆接触(2),在金属欧姆接触上植有两个钨极探针(1),环形微腔直径在60um--120um,环的直径在5um--8um,加工方法为:一、环形微腔的制作,(1)、在抛光的p型高掺杂的硅基上热生长出二氧化硅层;(2)、用光刻法在硅盘上定影出微腔版图;(3)、用离子注入法在微盘中间生长铝质欧姆接触;(4)、在室温下,用HF溶液刻蚀掉多余的氧化层;并用XeF2气体各向同性刻蚀硅基以形成硅柱;(5)、用CO2激光器加工SiO2微盘以形成环形微腔;二、锥形光纤的制作:锥形光纤采用熔拉法制作,最后所得锥区为50um—80um,最佳锥区光纤直径在1um--3um的锥形光纤,最后将环形微腔和锥形光纤以400nm—800nm的间隔进行耦合并封装。
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