[发明专利]荷叶离褶伞栽培方法有效

专利信息
申请号: 200810079679.2 申请日: 2008-10-31
公开(公告)号: CN101395995A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 张玉成 申请(专利权)人: 张玉成
主分类号: A01G1/04 分类号: A01G1/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 022169内蒙古自治*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明涉及一种荷叶离褶伞栽培方法,包括下列步骤:对野生荷叶离褶伞进行组织分离和,制作一级和二级菌种;收集作为三级菌种的培养基料;在林下或草地上挖沟、打穴,育种;在菇床管理温度20℃-25℃之间,相对湿度85%-90%,出菇温度菇床15℃-20℃,空间温度18℃-22℃,接种期CO2浓度0.1%<,产菇期0.5%<的条件下,使菌种出菇和转潮分茬;在菌伞似开非开之时采菇。采用本发明提供的荷叶离褶伞栽培方法,生产出的兴安香草菇优质高产、味道鲜美、富含氨基酸和多种营养物质,更可深加工后供应国内外市场。
搜索关键词: 荷叶 离褶伞 栽培 方法
【主权项】:
1、一种荷叶离褶伞栽培方法,它是由将野生荷叶离褶伞用于人工栽培,包括下列步骤:(1)利用马铃薯葡萄糖琼脂培养基,对野生荷叶离褶伞进行组织分离和试管培养,制作一级菌种;(2)利用谷粒培养基,制作二级菌种;(3)收集作为三级菌种培养基的阔叶树种的枯枝落叶、阔叶木屑、林区野草和麦麸辅料;(4)在林下或草地上挖沟:深30—40cm、宽40cm、长300—400cm,在沟两侧的墙上打穴,把菌柱脱袋后竖排于沟地面及横排于沟墙两侧的穴内;(5)覆上湿度为40%,厚度为3—4cm的腐质土,再覆上2—4cm的树叶或三级菌种培养基料;(6)在菇床管理温度20℃--25℃之间,相对湿度85%—90%,出菇温度菇床15℃--20℃,空间温度18℃--22℃,接种期CO2浓度0.1%<,产菇期0.5%<的条件下,使菌种出菇和转潮分茬;(7)在菌伞似开非开之时采菇,并保留菇种,重复步骤(4)至(7)进行连续栽培和生产。
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