[发明专利]一种过渡金属氧化物p-n异质结及其制备方法无效
| 申请号： | 200810079980.3 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101419947A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王淑芳;何立平;陈明敬;于威;李晓苇;傅广生 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/04;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 石家庄汇科专利商标事务所 | 代理人： | 王 琪 |
| 地址： | 071002河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种过渡金属氧化物p-n异质结，由p型导电材料铋锶钴氧Bi2Sr2Co2O8和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr1-xNbxTiO3构成。本发明利用脉冲激光沉积方法在n型导电掺铌钛酸锶Sr1-xNbxTiO3基底上外延生长一层高质量的p型导电铋锶钴氧Bi2Sr2Co2O8热电薄膜，从而构成了一种全新的过渡金属氧化物p-n异质结。该异质结在室温及室温以下很宽的温区内均表现出优异的二极管整流特性并能观测到结电阻受电流调制等特性，这些特性表明这种新型氧化物p-n异质结在电子学与电子技术工程方面具有应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过渡 金属 氧化物 异质结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种过渡金属氧化物p-n异质结，其特征在于：所述的p-n异质结由p型导电材料铋锶钴氧Bi2Sr2Co2O8和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr1-xNbxTiO3构成，其中0.01≥X≥0.004。
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