[发明专利]能降低温漂的硅微压阻式加速度计无效
| 申请号： | 200810080057.1 | 申请日： | 2008-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101430340A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张文栋;闫树斌;沈三民;张会新;任小红;荆彦峰;王少辉;吉喆;王宝花;姜国庆;严英占;赵军;张荣彦 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;B81B7/00 |
| 代理公司： | 山西太原科卫专利事务所 | 代理人： | 朱 源 |
| 地址： | 030051山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅微压阻式加速度计，具体是一种能降低温漂的硅微压阻式加速度计。改善了硅微压阻式加速度计的温度特性，减少了温度漂移，该加速度计包括硅基框体、悬臂梁、质量块，设置于悬臂梁与质量块、硅基框体的固定端部的应变压敏电阻，设置于硅基框体上的基准压敏电阻，以及设置于硅基框体外的外围调零电阻；外围调零电阻与应变压敏电阻、基准压敏电阻连接构成惠斯通电桥，外围调零电阻单独作为惠斯通电桥的一个桥臂，且所述外围调零电阻为采用离子注入工艺在另一相同特性的硅基上制作的压敏电阻，在制作该压敏电阻时通过控制离子注入速度对包含该压敏电阻的惠斯通电桥进行调零。本发明调零方便，温度漂移低，输出误差小，工作环境温度范围大。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 硅微压阻式 加速度计 | ||
【主权项】：
1、一种能降低温漂的硅微压阻式加速度计，包括由体硅加工工艺在硅基上加工制作的硅基框体(1)、悬臂梁(2)、通过悬臂梁(2)支悬于硅基框体(1)中间的质量块(3)，由离子注入工艺加工而成的设置于悬臂梁(2)与质量块(3)、硅基框体(1)的固定端部的应变压敏电阻、和设置于硅基框体(1)上的基准压敏电阻，以及设置于硅基框体(1)外的外围调零电阻；外围调零电阻与应变压敏电阻、基准压敏电阻连接构成单个测单轴方向加速度的惠斯通电桥，或者三个分测三轴方向加速度的惠斯通电桥，其特征在于：外围调零电阻单独作为惠斯通电桥的一个桥臂，且所述外围调零电阻为采用离子注入工艺在另一相同特性的硅基上制作的压敏电阻，在制作该压敏电阻时通过控制离子注入速度对包含该压敏电阻的惠斯通电桥进行调零。
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