[发明专利]电阻式存储器元件及其形成方法无效
| 申请号： | 200810080410.6 | 申请日： | 2008-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101515630A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 曾俊元;林志洋;林群杰 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储器元件及其形成方法，所述的电阻式存储器元件包括基底，位于基底上的下导电层，位于下导电层上的第一电阻层，位于第一电阻层上的扩散掺杂层，位于扩散掺杂层上的第二电阻层，以及位于第二电阻层上的上导电层。其中扩散掺杂层的部分材质扩散进入第一电阻层或第二电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器元件，其特征在于，所述的电阻式存储器元件包括：一基底；一下导电层，位于所述的基底上；一第一电阻层，位于所述的下导电层上；一扩散掺杂层，位于所述的第一电阻层上；一第二电阻层，位于所述的扩散掺杂层上；以及一上导电层，位于所述的第二电阻层上；其中所述的扩散掺杂层的部分材质扩散进入所述的第一电阻层与所述的第二电阻层。
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