[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200810080434.1 | 申请日： | 2008-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101304043A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 柯志欣;陈宏玮;葛崇祜;官大明;李文钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/08;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；栅介电层，位于半导体基底上；栅极，位于栅介电层上；深源极/漏极区，邻近栅极；硅化物区，位于深源极/漏极区上；以及，增高式金属化源极/漏极区，介于硅化物区与栅极之间。其中，增高式金属化源极/漏极区邻接硅化物区。本发明可增加MOS元件的驱动电流与降低漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体基底；栅介电层，位于该半导体基底上；栅极，位于该栅介电层上；深源极/漏极区，邻近该栅极；硅化物区，位于该深源极/漏极区上；以及增高式金属化源极/漏极区，介于该硅化物区与该栅极之间，其中该增高式金属化源极/漏极区邻接该硅化物区。
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