[发明专利]保护层材料、其制法、保护层以及等离子体显示面板无效

专利信息
申请号: 200810080658.2 申请日: 2008-02-28
公开(公告)号: CN101256922A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 李玟锡;马图利维克·尤利;金石基;崔钟书;金荣洙;秋希伶;金德炫;徐淳星 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J9/00 分类号: H01J9/00;H01J17/02;H01J17/49
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋莉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 用于制备PDP保护层的材料,其减少放电延迟时间、改进温度依赖性以及具有增强的离子强度;制备该材料的方法;由该材料形成的保护层;和包括该保护层的PDP。更具体地,包括以2.0×10-5-1.0×10-2重量份/1重量份氧化镁(MgO)的量的掺杂有稀土元素的单晶氧化镁的用于保护层的材料,通过在约2,800℃下使其结晶制备该单晶氧化镁的方法,由该材料形成的保护层,以及包括该保护层的PDP。
搜索关键词: 保护层 材料 制法 以及 等离子体 显示 面板
【主权项】:
1.一种用于制备等离子体显示面板保护层的材料,包括:单晶氧化镁;和稀土元素,其中所述单晶氧化镁掺杂有所述稀土元素。
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