[发明专利]基板抛光方法、半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810080787.1 | 申请日： | 2008-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101244536A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 中村宽子;上月贵晶;榎本贵幸;山本雄一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;H01L21/304;C09K3/14;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示了基板抛光方法、半导体装置和半导体装置的制造方法，由此可以取得高平整度的抛光。在基板抛光方法中，采用两种或者更多种不同的浆料，它们由布鲁诺－埃麦特－泰勒值彼此不同的二氧化铈研磨剂颗粒形成，对基板上的抛光目标氧化膜进行两级或者多级化学机械抛光工艺，以平坦抛光目标氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 半导体 装置 及其 制造 | ||
【主权项】：
1、一种基板抛光方法，包括如下步骤：采用由布鲁诺-埃麦特-泰勒值彼此不同的二氧化铈研磨剂颗粒形成的两种或者多种不同的浆料，对基板上的抛光目标氧化膜进行两级或者多级化学机械抛光工艺，以平坦该抛光目标氧化膜。
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