[发明专利]固体摄像装置和照相机有效
| 申请号： | 200810080851.6 | 申请日： | 2004-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101232034A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 篠原真人 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种固体摄像装置和照相机，与以往的放大型固体摄像装置相比较，低噪声、高增益而且高灵敏度，该固体摄像装置排列了多个像素，每个像素至少包括：光电二极管，用于存储由入射光产生的信号电荷；和放大用MOS晶体管，在栅极电极接受该信号电荷，放大该信号电荷并输出放大后的信号，其中：该放大用MOS晶体管具有第1导电类型的源以及漏，该源以及漏形成在与该放大用MOS晶体管的源以及漏相同导电类型的第一半导体区中，该第一半导体区中的杂质浓度比该源以及漏低，与该第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体区至少形成在该放大用MOS晶体管的栅极的下部。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 装置 照相机 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像装置，排列了多个像素，每个像素至少包括：光电二极管，用于存储由入射光产生的信号电荷；和放大用MOS晶体管，在栅极电极接受该信号电荷，放大该信号电荷并输出放大后的信号，其中：该放大用MOS晶体管具有第1导电类型的源以及漏，该源以及漏形成在与该放大用MOS晶体管的源以及漏相同导电类型的第一半导体区中，该第一半导体区中的杂质浓度比该源以及漏低，与该第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体区至少形成在该放大用MOS晶体管的栅极的下部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
