[发明专利]使用选择性介质淀积的双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810081207.0 | 申请日： | 2008-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101257044A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | B·T·弗格利;D·V·霍拉克;古川俊治 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用选择性介质淀积的双极晶体管结构及其相关的制造方法。使用在半导体衬底上的屏蔽介质层上的离子注入掩模将外部基极区域注入到半导体衬底，在所述注入之后，选择性地淀积垂直间隔物层。所述离子注入掩模的一部分嵌入到所述垂直间隔物层内的孔的侧壁内并对准所述孔的侧壁。在制造所述双极晶体管时，所述垂直间隔物层的所述选择性淀积减小了热预算并降低了工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 选择性 介质 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括集电极区域和位于所述集电极区域之上并接触所述集电极区域的内部基极表面区域；垂直间隔物层，位于所述半导体衬底上，所述垂直间隔物层具有对准所述内部基极表面区域的孔，所述孔具有嵌入到所述孔的侧壁内并对准所述孔的侧壁的水平间隔物层；以及发射极层，位于所述孔内并接触所述内部基极表面区域。
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