[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810081263.4 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101271880A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 押田大介;竹胁利至;大沼卓司;大音光市 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的绝缘膜；掩埋在所述绝缘膜中的铜互连，具有多个在其表面上形成的凸起物；在所述绝缘膜和铜互连上形成的第一绝缘夹层；在所述第一绝缘夹层上形成的第二绝缘夹层；以及在所述第二绝缘夹层上形成的导电层，其中所有凸起物中最高的至少一个凸起物的顶表面与所述第二绝缘夹层的下表面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括衬底；在所述衬底上形成的绝缘膜；铜互连，具有在其表面上形成的多个凸起物，所述铜互连被掩埋在所述绝缘膜中；在所述绝缘膜和铜互连上形成的第一绝缘夹层；在所述第一绝缘夹层上形成的第二绝缘夹层；以及在所述第二绝缘夹层上形成的导电层，其中所有凸起物中最高的至少一个凸起物的顶表面与所述第二绝缘夹层的下表面接触。
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