[发明专利]金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810081285.0 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101521227A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 许修文 | 申请（专利权）人： | 联笙电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法。该金属氧化物半导体晶体管元件包含有半导体基底；外延层，设于该半导体基底上；氧化层，设于该外延层上；栅极结构，设于该氧化层上，包含有导电层，该导电层的侧壁上缘包含缺口；以及间隙壁，位于该导电层的侧壁，且覆盖于该导电层的该缺口上；以及浅结阱区，设于该栅极结构的两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种金属氧化物半导体晶体管元件，包含有：半导体基底；外延层，设于该半导体基底上；氧化层，设于该外延层上；栅极结构，设于该氧化层上，包含有：导电层，该导电层的侧壁上缘包含缺口；以及间隙壁，位于该导电层的侧壁，且覆盖于该导电层的该缺口上；以及浅结阱区，设于该栅极结构的两侧，包含有源极及重阱区区域。
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