[发明专利]存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810081319.6 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101425535A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;施彦豪;杨令武;郑俊民 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器及其制造方法。该存储器包括绝缘底层、导体层、第一电荷储存结构以及第二电荷储存结构。绝缘底层设置于第一绝缘墙及第二绝缘墙之间。导体层设置于绝缘底层上，并位于第一绝缘墙及第二绝缘墙之间。第一电荷储存结构邻近于第一绝缘墙设置，并以该第一绝缘墙与导体层隔开。第二电荷储存结构离近于第二绝缘墙设置，并以第二绝缘墙与导体层隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种存储器，包括：绝缘底层，设置于第一绝缘墙及第二绝缘墙之间；导体层，设置于该绝缘底层上，并位于该第一绝缘墙及该第二绝缘墙之间；第一电荷储存结构，邻近于该第一绝缘墙，并以该第一绝缘墙与该导体层隔开；以及第二电荷储存结构，邻近于该第二绝缘墙，并以该第二绝缘墙与该导体层隔开。
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