[发明专利]鳍片FET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810081719.7 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN100583454C | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | T·W·戴耶;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;李 峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FET器件及其制造方法。提供一种鳍片FET器件。所述器件具有硅衬底、氧化物层以及多晶硅栅极。所述硅衬底限定了平面体、中间体以及鳍片。所述平面体、所述中间体以及所述鳍片是连接为一体的。所述中间体连接所述平面体和所述鳍片。所述平面体通常在所述中间体的周围延伸。所述鳍片基本上被设置为从所述衬底的第一侧延伸到所述衬底的相对的第二侧。所述鳍片基本上被设置为垂直于所述平面体。第一氧化物层位于所述平面体上并在所述平面体与所述鳍片之间。所述氧化物层基板上在所述中间体的周围延伸。所述多晶硅栅极位于所述氧化物层上，并基本上从所述衬底的第三侧延伸到相对的第四侧。邻近所述鳍片的上表面的中间部分设置所述栅极延伸跨过所述鳍片。还提供了一种用于制造鳍片FET器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | fet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍片FET器件，包括：a)体硅衬底，其限定了平面体、中间体以及鳍片，其中所述平面体、所述中间体以及所述鳍片是连接为一体的，所述中间体连接所述平面体和所述鳍片，所述平面体在所述中间体的周围延伸，所述鳍片被设置为从所述衬底的第一侧延伸到所述衬底的相对的第二侧，所述鳍片被设置为垂直于所述平面体，所述鳍片具有上表面；b)氧化物层，位于所述平面体上，在所述平面体与所述鳍片之间，所述氧化物层在所述中间体的周围延伸；c)导电栅极，位于所述氧化物层上，垂直于所述鳍片并从所述衬底的第三侧延伸到相对的第四侧，所述栅极被设置为邻近所述鳍片的所述上表面的中间部分并延伸跨过所述鳍片。
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