[发明专利]微晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810082070.0 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101527319A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡政儒;陈柏求;时定康;黄俊杰;叶永辉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法，其反转通道形成于其微晶硅主动层上方接口，而与该微晶硅主动层下方接口的孕核层分开。本发明的该反转通道形成在该微晶硅主动层上方接口结晶性薄膜中，因而使本发明微晶硅薄膜晶体管具有较好的电性及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 微晶硅 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的微晶硅薄膜晶体管结构包括：一基板；一对源极/漏极电极，位于所述的基板上方；一具第一导电性掺质微晶硅层，分别位于每一所述的源极/漏极电极上方；一微晶硅层，位于所述的具第一导电性掺质微晶硅层上方；一绝缘层，位于所述的微晶硅层上方；及一上栅极电极，位于所述的这对源极/漏极电极之间的所述的绝缘层上方；其中所述的这对源极/漏极电极之间所述的微晶硅层与所述的绝缘层接口具有一通道区。
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