[发明专利]具有吸收层的烃监控电缆有效
| 申请号： | 200810082101.2 | 申请日： | 2008-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101435901A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·瓦凯 | 申请（专利权）人： | 普拉德研究及开发股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/44 | 分类号： | G02B6/44;H01B11/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | 一种对其光纤芯中的缺陷发展具有抵抗性的烃监控电缆。所述芯缺陷抵抗性可以是以对井下环境的缺陷导致剂例如氢具有抵抗性的形式。这可以通过在光纤芯周围使用碳层来得到。然而，考虑到这样的碳层和外部聚合物夹套之间的不同热膨胀系数，可以在该碳层和夹套层之间布置第三热膨胀系数的中间聚合物层。因而，中间聚合物层可以具有第三热膨胀系数，选择所述第三热膨胀系数，从而避免由来自井下环境本身的热膨胀所导致的光纤缺陷。另外，所述监控电缆可以包含在光纤芯周围的导电层，所述导电层带正电荷，以推斥井下环境的其它带正电的光纤缺陷导致剂。此外，为了保护，可以在光纤芯周围布置用于吸收这样的缺陷导致剂的聚合物-基吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 吸收 监控 电缆 | ||
【主权项】：
1. 一种用于安置在井下环境中的烃监控电缆，所述烃监控电缆包括：光纤组件；和聚合物-基吸收层，所述层布置在所述光纤组件周围，用于吸收井下环境的光纤缺陷导致剂。
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