[发明专利]薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的有机发光装置无效
| 申请号： | 200810082233.5 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101271925A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 高俊哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41;H01L27/32;G09G3/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;李友佳 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的有机发光装置。该薄膜晶体管包括半导体，其中，该半导体具有沿着第一方向布置且相互分开的第一电极区域、第二电极区域、第三电极区域、第四电极区域和第五电极区域，以及在第一电极区域、第二电极区域、第三电极区域、第四电极区域和第五电极区域之间分别设置的第一偏置区域、第二偏置区域、第三偏置区域和第四偏置区域。输入电极连接到第三电极区域，输出电极连接到第一电极区域和第五电极区域，绝缘层设置在半导体上，控制电极设置在绝缘层、第二电极区域和第四电极区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 包括 有机 发光 装置 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：半导体，具有沿着第一方向布置且相互分开的第一电极区域、第二电极区域、第三电极区域、第四电极区域和第五电极区域，以及在第一电极区域、第二电极区域、第三电极区域、第四电极区域和第五电极区域之间分别设置的第一偏置区域、第二偏置区域、第三偏置区域和第四偏置区域；输入电极，连接到第三电极区域；输出电极，连接到第一电极区域和第五电极区域；绝缘层，设置在半导体上；控制电极，设置在绝缘层、第二电极区域和第四电极区域上。
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