[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法

摘要

本发明涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。公开了一种半导体结构和形成所述结构的方法的实施例，所述半导体结构具有可选择性地调整的反射和吸收特性以选择性地控制在快速热退火期间的温度改变，由此选择性地控制器件性能的变化和/或选择性地优化这样的器件的退火温度。通过选择性地变化在浅沟槽隔离结构的不同的部分中的隔离材料的厚度实现在快速热退火期间选择性地控制不同的器件中的温度改变。可选地，通过在半导体晶片的不同的部分中选择性地变化所述填充结构的图形以便在所述不同的部分中暴露预定的量的浅沟槽隔离区域，来实现在快速热退火期间选择性地控制不同的器件中的温度改变。

主权项

1.一种半导体结构包括：衬底；绝缘层，在所述衬底上；第一膜，在所述绝缘层之上，其中所述第一膜包括第一材料；以及第二膜，在所述绝缘层之上邻近所述第一膜，其中所述第二膜包括与所述第一材料不同的第二材料，以及其中所述第二膜包括具有第一厚度的第一部分和具有与所述第一厚度不同的第二厚度的第二部分。