[发明专利]电介质陶瓷组合物以及电子部件有效
申请号: | 200810082345.0 | 申请日: | 2008-02-29 |
公开(公告)号: | CN101265087A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 阿满三四郎;小岛隆;宫内真理;细野雅和;樱井弹;高野弘介;森崎信人 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;H01L41/187;H01B3/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孙秀武;李炳爱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 电介质陶瓷组合物,它是含有:含BaTiO3的主成分;含BaZrO3的第1副成分;含Mg氧化物的第2副成分;含稀土类元素氧化物的第3副成分;含选自Mn、Cr、Co和Fe中一种以上元素的氧化物的第4副成分;和含选自Si、Al、Ge、B和Li中一种以上元素的氧化物的第5副成分的电介质陶瓷组合物,其中:在构成电介质陶瓷组合物的电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于其周围的扩散层构成的表面扩散结构。设在电介质粒子界面附近R浓度为CR,设扩散层中R浓度的最大值为CRmax时,CRmax/CR>1。另外,设在电介质粒子界面附近的Mg浓度为CM,设扩散层中Mg浓度的最大值为CMmax时,CMmax/CM>1。 | ||
搜索关键词: | 电介质 陶瓷 组合 以及 电子 部件 | ||
【主权项】:
1.电介质陶瓷组合物,它含有:含钛酸钡的主成分;含BaZrO3的第1副成分;含Mg氧化物的第2副成分;含R氧化物的第3副成分,其中R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种;含选自Mn、Cr、Co和Fe中至少一种元素的氧化物的第4副成分;和含选自Si、Al、Ge、B和Li中至少一种元素的氧化物的第5副成分,其中:前述电介质陶瓷组合物具有多个电介质粒子和存在于相邻的前述电介质粒子之间的结晶晶粒边界;前述多个电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于前述中心层周围并且前述副成分扩散着的扩散层构成的表面扩散结构;在具有前述表面扩散结构的电介质粒子中,设在从前述结晶晶粒边界向前述电介质粒子大致中心的方向上,在位于距前述结晶晶粒边界界面为该电介质粒子粒径5%距离处的界面附近点的前述R的浓度为CR,设前述扩散层中前述R浓度的最大值为CRmax时,满足CRmax/CR>1的关系。
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