[发明专利]应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置有效
| 申请号： | 200810082659.0 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101256951A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;孙明 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/304;H01L21/301;H01L21/77;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置。该装置包括保持高温研磨和/或切割带以形成支撑结构的外环。超薄晶片或切割后的晶片被黏附到该带上的所述环内以进行晶片背面处理工艺。晶片背面处理工艺包括晶片位于所述支撑结构上时进行的离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发。本发明也公开了所述支撑结构的其他使用，包括具有金属化侧壁的芯片的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 超薄 晶片 背面 处理 工艺 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：将环和晶片安装到带上，晶片正面黏附到该带上并且晶片安装在该环内；研磨晶片背面；当晶片由所述带和环形成的支撑结构支撑时处理晶片的背面；在所述处理工艺步骤之后进行晶片切割。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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