[发明专利]过温度保护电路及其方法有效
| 申请号： | 200810082786.0 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101540497A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 简铭宏;陈家敏 | 申请（专利权）人： | 盛群半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H5/04 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁 挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过温度保护电路，应用于一集成电路，以控制该集成电路的一功率晶体管，其包括：一温度传感器及一比较器。其中，温度传感器是利用空乏型晶体管(Depletion MOS)及加强型晶体管(Enhancement MOS)在工艺变异中具有相同的趋势的特点来搭配设计而成，用以产生一正温度系数电压及一负温度系数电压。而比较器连接温度传感器，用来比较正温度系数电压及负温度系数电压而输出一输出电压，以控制该功率晶体管的启闭。藉此，以达到减少晶体管的使用数量而节省过温度保护电路在集成电路中所占用的面积，以及降低整体功率的耗费。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 保护 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种过温度保护电路，其特征在于，应用于一集成电路，用以控制该集成电路的一功率晶体管，该过温度保护电路包括：一温度传感器，用以产生一正温度系数电压及一负温度系数电压，并且该温度传感器进一步包含：一第一电路，包含一第一空乏型晶体管及一第一加强型晶体管，用以产生该正温度系数电压，其中该第一空乏型晶体管与该第一加强型晶体管为共栅极端的连接，而该第一空乏型晶体管源极端连接该第一加强型晶体管的漏极端，并且该第一加强型晶体管源极端接地；及一第二电路，包含一第二空乏型晶体管、一第二加强型晶体管及一第三加强型晶体管，用以产生该负温度系数电压，其中该第二空乏型晶体管与该第二加强型晶体管为共栅极端的连接，而该第二空乏型晶体管源极端连接该第二加强型晶体管漏极端，并且该第二加强型晶体管源极端连接该第三加强型晶体管漏极端，而该第三加强型晶体管源极端接地；以及一比较器，连接该温度传感器，用来比较该正温度系数电压及该负温度系数电压而输出一输出电压，以控制该功率晶体管的启闭。
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