[发明专利]基座无效
| 申请号： | 200810083072.1 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101271832A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 黄一正;福田和行;佐藤泰久;熊井学 | 申请（专利权）人： | 日本电热株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/683;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在按压板(4)的接合面上设置突起部(8)，并且，在传热板(3)的接合面的与突起部(8)相对置的位置上设置由榫槽形成的槽部(9)，将突起部(8)嵌入铆接至槽部(9)中，由此来接合传热板(3)和按压板(4)从而制造基座(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 基座 | ||
【主权项】：
1.一种基座，是在金属制的第1板和第2板之间夹持基板加热装置或基板冷却装置而形成的基座，其特征在于，在上述第1板的接合面上设置有上表面上具有凹部的突起部，并且在上述第2板的接合面上以与上述突起部相对置的方式设置由榫槽构成的槽部，将上述突起部嵌入上述槽部而进行铆接，由此将上述第1板和第2板接合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电热株式会社，未经日本电热株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810083072.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
