[发明专利]形成包括碲的相变材料层的方法和使用该相变材料层来制造相变存储器的方法有效
| 申请号： | 200810083078.9 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101271961A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 金度亨;姜信在;朴仁善;林炫锡;吴圭焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 包括 相变 材料 方法 使用 制造 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810083078.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固体电解电容器及其制造方法
- 下一篇：用于智能产品配置和报价的系统和方法
