[发明专利]形成纳米结构的方法和纳米结构有效
| 申请号： | 200810083086.3 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101269791A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 郑雅如;金昊辙;R·D·米勒 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种形成纳米结构的方法和纳米结构。提供第一嵌段共聚物。提供具有高能中性表面层的衬底，该表面层具有至少一个整体布置在其上的沟槽，该沟槽具有侧壁。在沟槽内部形成第一嵌段共聚物的第一膜。组装第一嵌段共聚物的成线微畴，并且在第一膜内形成第一自组装结构，该第一自组装结构与侧壁垂直而与表面层平行。从第一膜中去除至少一个微畴，使得取向结构保留在沟槽中，其中该取向结构垂直于侧壁而与表面层平行。提供第二嵌段共聚物。在沟槽内形成第二嵌段共聚物的第二膜。组装第二嵌段共聚物的成线微畴，并在第二膜内形成第二自组装结构，第二自组装结构的取向为垂直于取向结构而与侧壁平行。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供第一嵌段共聚物；提供具有高能中性表面层的衬底，所述表面层具有至少一个整体布置在其上的沟槽，所述至少一个沟槽包括基本上平坦的第一侧壁和与所述第一侧壁相对且基本上平坦的第二侧壁，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁基本上垂直于与所述表面层，所述第一侧壁和所述第二侧壁隔开与所述至少一个沟槽的底面的宽度对应的距离；在所述至少一个沟槽内形成第一膜，所述第一膜包括所述第一嵌段共聚物；在所述第一膜内组装所述第一嵌段共聚物的成线微畴，所述第一嵌段共聚物的所述微畴在所述第一膜内形成第一自组装结构，所述第一自组装结构的取向为与所述第一侧壁和所述第二侧壁基本上垂直，而与所述表面层基本上平行；从所述第一膜去除至少一个微畴，使得在所述沟槽中保留取向结构，其中所述取向结构的取向为与所述第一侧壁和所述第二侧壁基本上垂直，而与所述表面层基本上平行；提供第二嵌段共聚物；在所述至少一个沟槽内形成第二膜，所述第二膜包括所述第二嵌段共聚物；以及在所述第二膜内组装所述第二嵌段共聚物的成线微畴，所述第二嵌段共聚物的所述成线微畴在所述第二膜内形成第二自组装结构，所述第二自组装结构的取向为与所述取向结构基本上垂直，而与所述第一侧壁和所述第二侧壁基本上平行。
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