[发明专利]具有贯穿晶片的通孔的晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200810083087.8 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101276801A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | T·D·苏里文;K·J·斯坦;P·S·安德雷;王平川;B·C·韦伯;E·J·斯普罗吉斯;C·K－I·曾 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/482;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种贯穿晶片的通孔结构及其形成方法。该贯穿晶片的通孔结构包括具有开口和晶片顶面的晶片。该晶片顶面限定与所述晶片顶面垂直的第一参考方向。所述贯穿晶片的通孔结构还包括处于开口中的贯穿晶片的通孔。所述贯穿晶片的通孔具有矩形板的形状。所述贯穿晶片的通孔在所述第一参考方向上的高度基本上等于所述晶片在所述第一参考方向上的厚度。所述贯穿晶片的通孔在第二参考方向上的长度是所述贯穿晶片的通孔在第三参考方向上的宽度的至少十倍。所述第一参考方向、所述第二参考方向和所述第三参考方向相互垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 贯穿 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种结构，包括：(a)晶片，该晶片包括(i)开口和(ii)晶片顶面，其中，该晶片顶面限定与所述晶片顶面垂直的第一参考方向；以及(b)处于开口中的贯穿晶片的通孔，其中，所述贯穿晶片的通孔具有矩形板的形状，其中，所述贯穿晶片的通孔在所述第一参考方向上的高度基本上等于所述晶片在所述第一参考方向上的厚度，其中，所述贯穿晶片的通孔在第二参考方向上的长度是所述贯穿晶片的通孔在第三参考方向上的宽度的至少十倍，其中，所述贯穿晶片的通孔的所述高度是所述贯穿晶片的通孔的所述宽度的至少十倍，其中，所述第二参考方向和所述第三参考方向相互垂直，并且，其中，所述第二参考方向和所述第三参考方向都垂直于所述第一参考方向。
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