[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 200810083372.X | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101271833A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 林豊秀 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/10;B08B3/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马少东;徐恕 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种基板处理装置，用处理液对基板进行处理，其包括：处理槽，用于贮存处理液；保持机构，在保持基板的状态下位于所述处理槽内的处理位置；第一处理液供给装置，用于将第一处理液供给至所述处理槽内；第二处理液供给装置，用于将表面张力比第一处理液小且沸点比第一处理液高的第二处理液供给至所述处理槽内；温度调节装置，用于将所述处理槽中的第二处理液的温度调节在第一处理液的沸点以上且第二处理液的沸点以下的温度范围；控制装置，对所述第二处理液供给装置进行控制，从而使从所述第一处理液供给装置供给并贮存于所述处理槽内的第一处理液置换为第二处理液，同时，对所述温度调节装置进行控制，由此将第二处理液维持在所述温度范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置通过处理液对基板进行处理，其包括：处理槽，其用于贮存处理液；保持机构，其在保持基板的状态下位于所述处理槽内的处理位置；第一处理液供给装置，其用于将第一处理液供给至所述处理槽内；第二处理液供给装置，其用于将表面张力比第一处理液小且沸点比第一处理液高的第二处理液供给至所述处理槽内；温度调节装置，其用于将所述处理槽中的第二处理液的温度调节在第一处理液的沸点以上且第二处理液的沸点以下的温度范围；控制装置，其用于对所述第二处理液供给装置进行控制，从而使从所述第一处理液供给装置供给并贮存于所述处理槽内的第一处理液置换为第二处理液，同时，对所述温度调节装置进行控制，从而使第二处理液维持在所述温度范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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