[发明专利]制造半导体结构的方法

摘要

公开了一种制造半导体结构的方法。实施例中公开了多种用于制造双栅极半导体结构的集成方案。通过使用新颖的集成方案，使多晶硅栅极MOSFET和高k电介质金属栅极MOSFET形成在相同的半导体衬底上，尽管栅极堆叠的组成不同并且导致不同的蚀刻速率。在这些集成方案中，将薄多晶硅层用于一种类型的栅电极，而将含硅层用于另一种类型的栅电极，以平衡不同的蚀刻速率并且使得能够蚀刻两种不同的栅极堆叠。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，包括：直接在半导体衬底的第一部分上形成第一栅极电介质层和第一多晶硅层的第一堆叠；直接在所述第一堆叠上和在半导体衬底的第二部分上形成第二栅极电介质、金属栅极层和含硅层的第二堆叠；直接在第一多晶硅层上和直接在所述含硅层上形成第二多晶硅层；在所述第二多晶硅层上形成栅极帽电介质层；在所述第一部分上方的所述第一多晶硅层中和在所述第二部分上方的所述含硅层中形成图案；用光致抗蚀剂遮蔽所述第一部分；在所述第二部分上方将所述图案转移到所述第二栅极电介质层中；从所述第一部分的上方去除所述光致抗蚀剂；以及从所述第一部分的上方将所述图案转移到所述第一栅极电介质层中。