[发明专利]三族氮化合物半导体发光二极管有效
| 申请号： | 200810083476.0 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101527341A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;杨顺贵;黄嘉宏;徐智鹏;詹世雄 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;吴世华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种三族氮化合物半导体发光二极管，其包含一衬底、一缓冲层、一N型半导体材料层、一有源层及一P型半导体材料层。该有源层包含至少一量子阱层、至少两个夹设该量子阱层的阻障层及至少一个应力调整层，其中该应力调整层设于该量子阱层及一阻障层之间，且该应力调整层的三族氮化合物材料组成延该量子阱层朝向邻接该阻障层方向递变分布。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种三族氮化合物半导体发光二极管，包含：一衬底；一N型半导体材料层，形成于该衬底上；一有源层，形成于该N型半导体材料层上，包含至少一量子阱层、至少两个夹设所述量子阱层的阻障层及至少一个应力调整层，其中所述应力调整层设于量子阱层及所述两个阻障层其中之一之间，并且所述应力调整层的三族氮化合物材料组成延所述量子阱层朝向邻接的所述阻障层方向递变分布；以及一P型半导体材料层，形成于所述量子阱层上。
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