[发明专利]半导体组件封装结构及其方法无效
| 申请号： | 200810083485.X | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101261984A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜;许献文 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是提供一种半导体组件封装结构，包含一上表面具有至少一预形成的晶粒容纳凹槽以及端点金属接垫的衬底。至少一第一晶粒是配置于上述晶粒容纳凹槽之内。一第一介电层是形成于第一晶粒与衬底之上并填满于第一晶粒以及衬底间的间隙，用以吸收其中的热机械应力(thermal mechanical stress)。一第一重布层(RDL)是形成于第一介电层之上并耦合至第一晶粒。一第二介电层是形成于第一重布层之上，而一第二晶粒是配置于第二介电层之上，并由具有通孔在其上的粘合膏(core pastes)环绕于其周围。一第二重布层是形成于上述粘合膏之上以填满上述通孔，而一第三介电层是形成于第二重布层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体组件封装结构，其特征在于，包含：一衬底、具有至少一预设的晶粒容纳凹槽及端点接垫形成于该衬底的上表面内及其上；至少一第一晶粒配置于该晶粒容纳凹槽内；一第一介电层形成于该第一晶粒及该衬底上并填满该第一晶粒及该衬底的间隙用以吸收其中的热机械应力；一第一重布层形成于该第一介电层上并耦合至该第一晶粒；至少一第二介电层形成于该第一重布层上；一第二晶粒配置于该第二介电层上并由其上具有通孔的粘合膏环绕于其周围；一第二重布层形成于该粘合膏上并填入该通孔；以及一第三介电层形成于该第二重布层上；其中该第一晶粒及该第二晶粒分别具有多个接垫耦合至该第一重布层及该第二重布层并由该通孔而互相达成电性连接。
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