[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810083673.2 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101266989A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 柳商旭 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及图像传感器及其制造方法。根据本发明的实施例，一种图像传感器包括形成在半导体衬底上方的层间介电层、形成在该层间介电层上方的滤色镜层、形成在该滤色镜层上方的平坦化层、以及形成在该平坦化层上方的具有无间隙的连续形状和多层结构的微透镜阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：半导体衬底；层间介电层，其形成在该半导体衬底上方；滤色镜层，其形成在该层间介电层上方；平坦化层，其形成在该滤色镜层上方；以及具有多层结构的微透镜阵列，其形成在该平坦化层上方；其中该微透镜阵列包括多个微透镜，且在所述多个微透镜中的各微透镜与相邻微透镜直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
