[发明专利]具有高频互连的半导体器件有效
| 申请号： | 200810083754.2 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101266964A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 中柴康隆 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，其包含高频互连以及虚拟导体图案(第二虚拟导体图案)。虚拟导体图案被设置在与设置有高频互连的互连层不同的互连层内。设置虚拟导体图案，以使得其在平面图中远离与高频互连重叠的区域。在设置有高频互连的互连层内，半导体器件进一步包含虚拟导体图案(第一虚拟导体图案)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高频 互连 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：高频互连，其被设置在互连层的第一层内；以及虚拟导体图案，其被设置在与所述互连层中的所述第一层不同的第二层内，其中，设置所述虚拟导体图案，以使其在平面图中远离与所述高频互连的整个部分重叠的区域。
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