[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200810083890.1 | 申请日： | 2008-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101236951A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 黄志亿;吴志伟 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768;H01P3/08;H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含一第一信号层、一第二信号层、一导线层以及至少一导孔。该导线层形成于该第一信号层以及该第二信号层之间，而导线层上的第一端点以及第二端点间设置有一导线。至少一导孔用以导通第一信号层以及第二信号层。其中，该至少一导孔趋近于第一端点以及第二端点而设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，包含：一第一信号层；一第二信号层；一导线层，形成于该第一信号层以及该第二信号层之间，该导线层上的第一端点以及第二端点间设置有一导线；以及至少一导孔，用以导通该第一信号层以及该第二信号层；其中，该至少一导孔趋近于该第一端点以及该第二端点而设置。
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