[发明专利]硅纳米线/非晶硅异质结太阳能电池

摘要

本发明公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅纳米线阵列太阳能电池装置。其特征在于所述透明氧化铟锡导电薄膜层和P型硅基底层之间含有p型纳米硅线/n型非晶硅三维异质结层。所述太阳能转换装置含有依次相叠的各层为：Ti/Pd/Ag栅形电极，作为正面引出电极；透明ITO导电薄膜层，起透光作用并作为正面引出电极；n型非晶硅位于p型纳米硅线之上，与p型纳米硅线形成p－n异质结；p型纳米硅线位于P型硅基底层之上，与n型非晶硅形成三维p－n异质结。同时也作为太阳电池的减反射层；P型硅基底层，作为太阳能电池的基区；铝金属膜背电极，作为背面引出电极。本发明提供的这种具有新型结构的太阳能转换装置，光吸收能力强，光电转换效率高。

主权项

1、硅纳米线/非晶硅异质结太阳能电池，它含有Ti/Pd/Ag栅形电极、透明氧化铟锡(ITO)导电层、n型非晶硅、p型纳米硅线、p型硅基底层、铝金属膜背电极层，其特征在于：所述太阳能转换装置含有依次相叠的下述各层，(1)Ti/Pd/Ag栅形电极，位于透明ITO导电薄膜层之上，其作用作为正面引出电极；(2)透明ITO导电薄膜层位于n型非晶硅/p型纳米硅线异质结层之上，作为正面引出电极；(3)n型非晶硅位于p型纳米硅线之上，其作用是与p型纳米硅线形成p-n异质结，产生光生伏特效应；(4)p型纳米硅线位于P型硅基底层之上，其作用是与n型非晶硅形成三维p-n异质结，产生光生伏特效应，同时也作为太阳电池的减反射层；(5)P型硅基底层，位于铝金属膜背电极之上，其作用是作为太阳能电池的基区；(6)铝金属膜背电极，其作用是作为背面引出电极。其主要特征在于透明ITO导电薄膜(2)和P型硅基底层(3)之间含有p型纳米硅线/n型非晶硅三维异质结层。