[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810084507.4 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101271841A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 洪权 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括形成高介电绝缘层。通过利用前体物形成具有高密度的非晶高介电绝缘层，所述前体物可以在400℃以上的温度下通过原子层沉积法来沉积。所产生的绝缘在后续退火工艺中表现出降低的结晶化。改善了电容等效厚度(CET)特性和漏电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包含氧化铪(HfO2)层或氧化锆(ZrO2)层或二者的高介电绝缘层，所述高介电绝缘层通过使用含有Hf、Zr或二者的前体物、在至少400℃的温度下形成在半导体衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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