[发明专利]薄膜沉积装置和薄膜沉积方法无效
申请号: | 200810084628.9 | 申请日: | 2008-03-14 |
公开(公告)号: | CN101265574A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 李沅民;杨与胜;张迎春 | 申请(专利权)人: | 福建钧石能源有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/50;C23C16/455 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法,所述薄膜沉积装置中等距、平行、间隔交替放置激励电极板和接地电极板;将基板卡固于所述激励电极板和接地电极板的两侧表面;在各个激励电极板和接地电极板之间放置需要进行双面沉积薄膜的基板;向所述反应室中引入反应气体,并将反应气体激发为等离子体,在所述基板表面沉积薄膜。本发明能够对大面积基板进行单面和双面的批量沉积,能够大幅度提高薄膜沉积的效率和产能,并降低交叉污染。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜沉积装置,所述装置包括金属上横梁、下横梁和与所述上横梁、下横梁连接的金属侧壁,其特征在于:所述上横梁和下横梁之间具有第一电极板和第二电极板,各所述第一电极板和第二电极板彼此电绝缘且等距、平行、间隔交替排列,在所述各个第一电极板和第二电极板之间的上横梁和下横梁上设置凹槽,用于放置需要双面沉积薄膜的基板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的