[发明专利]高纯度硅的制造方法无效
| 申请号： | 200810085082.9 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101269814A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 林田智 | 申请（专利权）人： | 智索株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/039 | 分类号： | C01B33/039 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯度硅的制造方法，在利用锌还原法由四氯化硅制造硅时，对副生的氯化锌进行有效的处理，从而比较廉价地制造高纯度硅。本发明的高纯度硅的制造方法的特征在于，包括如下步骤：(1)使金属硅和氯化氢气体进行反应的步骤；(2)对所获得的反应生成物进行蒸馏而获得四氯化硅的步骤；(3)使所获得的四氯化硅和锌气体进行气相反应而生成高纯度硅的步骤；(4)使副生的氯化锌和氢气进行反应的步骤；以及(5)从所获得的反应生成物中分离回收锌和氯化氢的步骤，将所述步骤(5)中经分离回收的锌用作所述步骤(3)中锌气体的原料，且将所述步骤(5)中经分离回收的氯化氢用作所述步骤(1)中氯化氢气体的原料。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高纯度硅的制造方法，其特征在于其包括如下步骤：使金属硅和氯化氢气体进行反应的第一步骤；对所述第一步骤获得的反应生成物进行蒸馏而获得四氯化硅的第二步骤；在温度为800℃～1200℃的反应炉内，使所述第二步骤获得的四氯化硅和锌气体进行气相反应而生成高纯度硅的第三步骤；使所述第三步骤中副生的氯化锌和氢气进行反应的第四步骤；以及从所述第四步骤获得的反应生成物中分离回收锌和氯化氢的第五步骤，将所述第五步骤中经分离回收的锌用作供所述第三步骤的反应的锌气体的原料，且将所述第五步骤中经分离回收的氯化氢用作供所述第一步骤的反应的氯化氢气体的原料。
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