[发明专利]SOI衬底及其制造方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 200810085214.8 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101281912A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 大沼英人;掛端哲弥;饭窪阳一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/762;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SOI衬底，该SOI衬底具备有当使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底时也可以实用的耐性的SOI层。另外，本发明还提供使用这种SOI衬底的半导体装置。当对具有绝缘表面的衬底或绝缘衬底键合单晶半导体层时，对于形成键合的面的一方或双方使用以有机硅烷为原材料来淀积的氧化硅膜。根据本结构，可以使用玻璃衬底等耐热温度为700℃以下的衬底，来获得坚固地键合的SOI层。亦即，可以在一边超过一米的大面积衬底上形成单晶半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | soi 衬底 及其 制造 方法 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种SOI衬底，包括：衬底；以及通过使用四乙氧基硅烷(TEOS；Tetraethoxysilane：化学式Si(OC2H5)4)的化学气相成长法形成有氧化硅膜的单晶半导体层，其中，所述单晶半导体层通过所述氧化硅膜与所述衬底键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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