[发明专利]场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810085267.X | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101262009A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | B·B·多丽斯;S·M·罗斯纳戈尔;小西里尔·加布莱尔;M·L·斯廷;E·A·达奇 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/49;H01L27/092;H01L21/335;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有被分隔的应力沟道区域的NFET和PFET器件及其制造方法。披露了包括栅极的FET，栅极包括处于第一应力状态下的金属。FET也包括位于单晶Si基材料内的沟道区域，沟道区域被栅极覆盖并处于第二应力状态下。沟道区域的第二应力状态与包括在栅极内的金属的第一应力状态的符号相反。NFET沟道通常处于拉伸应力状态下，而PFET沟道通常处于压缩应力状态下。制造方法包括通过物理气相沉积(PVD)，以层处于应力状态下的方式沉积金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)，包括：栅极，其中所述栅极包括处于第一应力状态的金属，其中所述金属基本上不含Si；含于单晶Si基材料内的沟道区域，其中所述沟道区域被所述栅极覆盖，其中所述沟道区域处于第二应力状态，以及其中所述第二应力状态与所述第一应力状态符号相反。
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