[发明专利]绝缘栅型半导体装置

摘要

本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置。在将检测主动作部的动作的传感部集成于同一芯片的MOSFET中，传感部的电流分布不均匀区域的面积比电流分布均匀的区域面积大，故存在传感部中接通阻抗增加，而得不到与元件比对应的电流比的问题。本发明中，在传感部的外周设置分离区域。设置分离区域的深度，该深度可抑制在传感部的周端部产生的电流分布不均匀区域的扩散，由此，可在传感部中抑制电流分布不均匀区域带来的影响。由于可使整个传感部的电流分布更加均匀，故可以使传感部的接通阻抗接近设计值。由此，可得到与元件比对应的、与设计值相同的电流比，提高电流检测的精度。

主权项

1.一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，具有：一导电型半导体基板，设置在该半导体基板之上的一导电型半导体层，设置在该半导体层表面上的第一动作部，设置在所述半导体层表面，面积比所述第一动作部小的第二动作部，设置在所述第一动作部上的反导电型第一沟道区域和第一晶体管，设置在所述第二动作部上的反导电型第二沟道区域和第二晶体管，设置在所述第二动作部的周围的分离区域。