[发明专利]集成电路结构的制造方法无效
| 申请号： | 200810085594.5 | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101483148A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 王喻生;林世和;陈科维;吴斯安;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路结构的制造方法，至少包括：提供一衬底；形成一金属特征于衬底上；形成一介电层于金属特征上；以及形成一开口于介电层中。通过开口暴露出金属特征的至少一部分。因此，一氧化层形成在金属特征的一暴露部分上。此方法还包括，在具有真空环境的一生产机台中，进行一氧化物去除工艺，以去除氧化层。在形成开口的步骤与氧化物去除工艺之间，并未在生产机台外对金属特征进行额外的氧化物去除工艺。此方法还包括：在生产机台中，形成一扩散阻挡层于开口中、以及形成一种籽层于扩散阻挡层上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路结构的制造方法，其特征在于，至少包括：提供一衬底；形成一金属特征于该衬底上；形成一介电层于该金属特征上；形成一开口于该介电层中，其中通过该开口暴露出该金属特征的至少一部分，且其中一氧化层形成在该金属特征的一暴露部分上；在具有一真空环境的一生产机台中，进行一氧化物去除工艺，以去除该氧化层，其中在形成该开口的步骤与该氧化物去除工艺之间，并未在该生产机台外对该金属特征进行额外的氧化物去除工艺；在该生产机台中，形成一扩散阻挡层于该开口中；以及在该生产机台中，形成一种籽层于该扩散阻挡层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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