[发明专利]低氧含量、无裂纹霍伊斯勒和类霍伊斯勒合金以及沉积源及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810085601.1 申请日: 2008-01-18
公开(公告)号: CN101230425A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: A·贾尼 申请(专利权)人: 贺利氏有限公司
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C23C14/34
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民;路小龙
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 形成式X2YZ或XYZ的霍伊斯勒或类霍伊斯勒合金的方法,包括提供由至少一种金属氧化物材料构成的熔炉,该金属氧化物材料对于熔融过渡金属是热力学稳定的;提供预定量的该合金的组成元素或母合金材料至熔炉中;以及接着在真空下或惰性气体的分压下熔化组成元素或母合金材料,形成含氧量约50ppm以下的合金。通过在铸模中铸造该合金,采用多阶段应力消除、热辅助铸造处理,形成无裂纹合金。也公开了式X2YZ或XYZ的含氧量约50ppm以下的无裂纹霍伊斯勒和类霍伊斯勒合金以及由此制造的沉积源如溅射靶。
搜索关键词: 低氧 含量 裂纹 霍伊斯勒 类霍伊斯勒 合金 以及 沉积 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种形成式X2YZ或XYZ的霍伊斯勒或类霍伊斯勒合金的方法,包括以下步骤:(a)提供由至少一种金属氧化物材料构成的熔炉,该金属氧化物材料对熔融过渡金属是热力学稳定的;(b)提供预定量的所述霍伊斯勒或类霍伊斯勒合金的组成元素或母合金材料至所述熔炉中;和(c)在真空下或惰性气体的分压下熔化所述组成元素或母合金材料,形成含约50ppm以下氧的霍伊斯勒或类霍伊斯勒合金。
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