[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 200810085731.5 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101290806A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金东槿;李知恩 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，该半导体存储器件可减小行修复所必需的电路面积。该半导体存储器件包括：多个存储体；布置在每个存储体中的多个单元阵列；布置在每个单元阵列中的多个阵列字线；布置在每个单元阵列中的一条或多条修复字线；及多个修复信息存储器，所述修复信息存储器被配置为存储将被所述修复字线替换的所述阵列字线的存储体信息和行地址。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：多个存储体；布置在每个存储体中的多个单元阵列；布置在每个单元阵列中的多个阵列字线；布置在每个单元阵列中的一条或多条修复字线；及多个修复信息存储器，该修复信息存储器被配置为存储将被所述修复字线替换的阵列字线的存储体信息和行地址。
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