[发明专利]半导体发光组件

摘要

本发明揭露一种半导体发光组件。半导体发光组件包含基板、第一传导型态半导体材料层、第二传导型态半导体材料层、发光层、第一电极、第二电极以及数个凸状结构。第一传导型态半导体材料层形成于基板上并且具有上表面，包含第一区域以及不同于第一区域的第二区域。第一电极形成于第一区域上，并且发光层及第二传导型态半导体材料层形成于第二区域上。数个凸状结构形成于第一传导型态半导体材料层的上表面上并且介于第一区域以及第二区域之间。每一个凸状结构由ITO、SiO₂、SiN、ZnO、polymide、BCB、SOG、InO或SnO所制成。

主权项

1、一种半导体发光组件，其特征在于，包含：一基板；一第一传导型态半导体材料层，所述第一传导型态半导体材料层形成于所述基板上，所述第一传导型态半导体材料层具有一上表面，并且所述上表面包含一第一区域以及不同于所述第一区域的一第二区域；一第一电极，所述第一电极形成于所述第一区域上；一发光层，所述发光层形成于所述第二区域上；一第二传导型态半导体材料层，所述第二传导型态半导体材料层形成于所述发光层上；一第二电极，所述第二电极形成于所述第二传导型态半导体材料层上；以及数个凸状结构，所述数个凸状结构形成于所述第一传导型态半导体材料层的所述上表面上并且介于所述第一区域以及所述第二区域之间，其中所述数个凸状结构中的每一个凸状结构由折射率大于1的一材料所制成，并且所述材料选自由ITO、SiO2、SiN、ZnO、polymide、BCB、SOG、InO、SnO、一III-V族化合物半导体材料以及一II-VI族化合物半导体材料所组成的一群组中的其一。