[发明专利]具缓冲层的晶圆结构有效

专利信息
申请号: 200810086110.9 申请日: 2008-03-11
公开(公告)号: CN101252106A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 黄泰源;陈知行 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所 代理人: 翟羽
地址: 台湾省高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种具缓冲层的晶圆结构,该晶圆结构包含:具有至少一焊垫的晶圆,晶圆上设有保护层(passivation),且暴露出该至少一焊垫,保护层及焊垫上设有缓冲层,缓冲层上设置有凸块下金属层(UBM,under bumpmetallurgy)。该缓冲层包含有一由铝材料制成的加厚的内缓冲层,其形成于凸块下金属层与焊垫之间,以增强晶圆在掉落试验(drop test)时的吸震能力,避免发生用以与基板接合的导电凸块掉落且脆裂的状况,并能加强导电凸块与凸块下金属层的接合能力。该缓冲层可以另外包含有一聚亚醯胺材料的外缓冲层,且该外缓冲层设置于该保护层上而部分地位于该凸块下金属层与该保护层之间。
搜索关键词: 缓冲 结构
【主权项】:
1.一种具缓冲层的晶圆结构,包含:一晶圆、一保护层及一凸块下金属层,其中所述晶圆包含至少一焊垫;所述保护层设置于所述晶圆上,且暴露出所述焊垫;其特征在于:所述具缓冲层的晶圆结构还包含有一内缓冲层,所述内缓冲层设置于所述焊垫上;所述凸块下金属层设置于所述内缓冲层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810086110.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top