[发明专利]半导体器件及其制造工艺无效
| 申请号： | 200810086139.7 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101266973A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 东野智彦;胜木信幸;川胜康弘;小林道弘 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/11;H01L27/02;H01L21/822;H01L21/8244;H01L21/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括第一反相器、第二反相器和连接反相器的内引线，其中内引线形成电容器元件，且电容器元件包括半导体衬底上的具有孔的层间绝缘膜、覆盖孔底壁和侧壁和下电极、布置在下电极和部分层间绝缘膜上的电容绝缘膜和电容绝缘膜上的上电极，其中底壁是半导体衬底且侧壁是层间绝缘膜的一部分，电容绝缘膜覆盖电容绝缘膜的拐角，拐角位于半导体衬底的相对侧，且上电极覆盖孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一反相器、第二反相器和连接所述各反相器的内布线，其中内布线形成电容器元件，且该电容器元件包括：半导体衬底上的具有孔的层间绝缘膜；覆盖孔的底壁和侧壁和下电极，所述底壁是半导体衬底且侧壁是层间绝缘膜的一部分；布置在下电极和部分层间绝缘膜上的电容绝缘膜，所述电容绝缘膜覆盖电容绝缘膜的拐角，该拐角位于半导体衬底的相对侧；以及电容绝缘膜上的上电极，所述上电极覆盖所述孔。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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