[发明专利]化合物半导体元件的封装结构及其制造方法有效
申请号: | 200810086311.9 | 申请日: | 2008-03-25 |
公开(公告)号: | CN101546737A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 陈滨全;林升柏 | 申请(专利权)人: | 先进开发光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L33/00;H01L31/0203;H01L31/024;H01L31/18;H01S5/02;H01S5/024 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;吴世华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭示一种化合物半导体元件的封装结构及其制造方法,该封装结构包含薄膜基板、晶粒、至少一个金属导线及透明封胶材料。该薄膜基板包含第一导电膜、第二导电膜及绝缘介电材料。该晶粒固定于该第一导电膜的表面,并通过该金属导线与该第一导电膜或该第二导电膜电连接。该透明封胶材料覆盖于该第一导电膜、该第二导电膜及该晶粒上。该第一导电膜及该第二导电膜相对于该透明封胶的表面分别作为电极,该绝缘介电材料介于该第一导电膜及该第二导电膜之间。本发明能够使元件的厚度更薄而节省所占空间,并解决散热不佳的问题。 | ||
搜索关键词: | 化合物 半导体 元件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种化合物半导体元件的封装结构,包含:薄膜基板,包含第一导电膜、第二导电膜及绝缘介电材料,其中该绝缘介电材料介于该第一导电膜及该第二导电膜之间;晶粒,固定于该第一导电膜的表面;以及透明封胶材料,覆盖于该第一导电膜、该第二导电膜及该晶粒。
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